氧化镓外延技术新突破!拓诺稀科技南沙厂房启用
来源:龙灵 发布时间:2025-05-28
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近日,香港科技大学霍英东研究院与香港科技大学(广州)联合孵化的“拓诺稀科技”迎来重要进展。其位于广州南沙的首个先进生产厂房正式投入运营,标志着氧化镓外延技术从实验室研发迈向产业化生产。
据公开资料显示,该厂房位于粤港澳大湾区“黄金内湾”的广州南沙,占地面积约500平方米。厂房内配备高标准洁净室设施,同时设有MOCVD工艺区、离子注入室以及专用气体储存间和固废处理间,集研发、测试、制造和工艺支持于一体,为高科技产品的稳定生产提供了全面保障。
氧化镓(Ga₂O₃)是一种具有超宽禁带特性的半导体材料,在高压功率电子、射频通讯及光电探测领域具有广阔的应用前景。拓诺稀科技由香港科技大学(广州)陈子强教授与其博士生共同创立,专注于氧化镓外延薄膜制备及高性能半导体器件开发。该公司通过MOCVD工艺成功实现了稳定p型导电氧化镓外延层的制备,填补了该材料体系中长期缺失的p型导电技术空白,成为全球独家掌握这一技术的企业。
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