近日，香港科技大学霍英东研究院与香港科技大学（广州）联合孵化的“拓诺稀科技”迎来重要进展。其位于广州南沙的首个先进生产厂房正式投入运营，标志着氧化镓外延技术从实验室研发迈向产业化生产。

据公开资料显示，该厂房位于粤港澳大湾区“黄金内湾”的广州南沙，占地面积约500平方米。厂房内配备高标准洁净室设施，同时设有MOCVD工艺区、离子注入室以及专用气体储存间和固废处理间，集研发、测试、制造和工艺支持于一体，为高科技产品的稳定生产提供了全面保障。

氧化镓（Ga₂O₃）是一种具有超宽禁带特性的半导体材料，在高压功率电子、射频通讯及光电探测领域具有广阔的应用前景。拓诺稀科技由香港科技大学（广州）陈子强教授与其博士生共同创立，专注于氧化镓外延薄膜制备及高性能半导体器件开发。该公司通过MOCVD工艺成功实现了稳定p型导电氧化镓外延层的制备，填补了该材料体系中长期缺失的p型导电技术空白，成为全球独家掌握这一技术的企业。