台积电:暂无采用ASML high-NA EUV设备计划
来源:龙灵 发布时间:2025-05-28
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据路透社报道,台积电业务开发资深副总裁张晓强近日表示,台积电即将推出的A14制程目前仍未看到必须采用ASML高数值孔径(high-NA)极紫外光(EUV)微影设备的理由。台积电仍在评估未来制程节点是否需要引入该设备。
张晓强在一场记者会上提到,A14制程即使不采用high-NA EUV设备,也已经取得了显著成效。因此,台积电技术团队正在探索如何通过现有低数值孔径(low-NA)EUV设备的微缩优势,进一步延长其使用寿命。他指出,只要能持续找到解决方案,台积电显然没有采用high-NA EUV设备的必要。
今年4月底,张晓强在台积电于加州举办的北美技术论坛上曾透露,预计2028年投产的A14芯片图案化制程不会使用high-NA EUV设备。他表示,从2纳米到A14制程,台积电无需采用high-NA就能保持类似的复杂性。
此外,张晓强在2024年也曾透露,台积电A16节点同样不会采用high-NA EUV设备,主要原因在于设备定价过高。据悉,ASML的high-NA EUV设备价格接近4亿美元,这一高昂成本成为台积电考量的重要因素。
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