据《wccftech》报道，台积电在先进制程领域的技术布局出现新动向。其预计于2028年量产的A14制程节点，将不会引入备受关注的High-NA EUV（高数值孔径极紫外光刻技术），而是继续依赖现有的0.33-NA EUV技术。

台积电业务开发资深副总裁张晓强在北美技术研讨会上透露，从2nm到A14制程，台积电并不一定需要依赖High-NA EUV技术。他表示，通过现有的0.33-NA EUV技术结合多重曝光（multi-patterning）工艺，同样可以实现所需的制程复杂度与设计密度。同时，台积电致力于将每一代制程的光罩数量控制在最低水平，以确保成本效益的最大化。

High-NA EUV技术虽然具备更高的精度，但其成本却比传统EUV高出约2.5倍。若在A14制程中采用该技术，将显著推高芯片的生产成本，进而影响其在消费电子市场的竞争力。此外，A14设计需要多个光罩完成单层芯片设计，而High-NA EUV对台积电来说性价比并不高。

不过，台积电并未完全放弃High-NA技术。据透露，该公司计划在2029年推出的A14P制程节点上，可能会首次导入这一技术。相比之下，英特尔则计划在2026年量产的18A制程中率先采用High-NA EUV，这意味着台积电在这一技术领域的推进速度将落后英特尔等竞争对手至少四年。