SK海力士大幅增加资本支出,加速HBM3E生产应对需求激增
来源:赵辉 发布时间:2025-04-14
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据外媒thelec报道,SK海力士近日决定将其2023年的资本支出计划(CAPEX)提高30%,以应对市场对HBM3E产品需求的快速增长。此前,该公司计划今年在设施扩展上投资22万亿韩元(约合1122.66亿元人民币),但目前已上调至29万亿韩元(约合1479.87亿元人民币)。

据称,这一决定已在近期敲定,SK海力士已通知供应商,要求在10月之前将相关设备交付至位于韩国忠州的M15X工厂,比原计划提前两个月。这些调整旨在加速向英伟达等合作伙伴交付更多HBM产品。根据Counterpoint Research的数据,SK海力士在今年第一季度以36%的市场份额首次超越三星(34%),成为DRAM市场的领军企业。
此外,SK海力士上月透露,其今年的HBM生产能力已被客户预定一空,并已向客户交付HBM4 12H样品。与此同时,存储行业巨头正加速推进HBM4技术竞赛。三星计划在2025年实现HBM4量产,但其10nm 1c DRAM工艺尚未成熟,面临较大挑战。
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