据韩媒Financial News援引业界消息，长鑫存储正积极研发HBM3，并计划最快于2026年实现量产，同时目标在2027年推出并量产更先进的HBM3E。

从技术角度看，长鑫存储正在不断提升其生产能力。据TechInsights在2025年1月的分析，长鑫存储已能够在1z纳米节点上制造DDR5芯片。尽管其芯片裸片尺寸较大且良率尚未完全验证，但其DDR5密度已与2021年国际竞争对手（如美光、三星和SK海力士）相当。此外，业内推测长鑫存储的研发团队可能正在开发15纳米以下的DRAM制程节点，特别是1α纳米，这是HBM3E所需的关键技术节点。

尽管长鑫存储在缺乏EUV曝光机的情况下开发1α纳米工艺可能面临重大挑战，但这并非完全不可能。2021年，美光在未使用EUV技术的情况下成功推出1α DRAM，为长鑫存储提供了可借鉴的经验。

在后端制程方面，长鑫存储此前已能获取HBM所需的大部分制造设备（除EUV外），并可能采用非导电薄膜热压缩（TC-NCF）键合技术。虽然美国出口管制对部分设备供应造成影响，但整体而言，长鑫存储在TC-NCF键合技术的应用上应不成问题。

近年来，中国企业愈发意识到混合键合技术对HBM发展的重要性。长鑫存储与通富微电等企业持续加大对混合键合技术的研究与生产投入。混合键合技术有望成为国内存储器厂商加速推进HBM发展的重要路径，缩小与全球领先厂商的差距。

尽管长鑫存储在D1a节点上可能面临良率和规模量产的挑战，但其D1z节点的成熟度正在逐步提升，这对未来HBM3的研发和量产具有积极意义。不过，业内预计，长鑫存储在HBM3和HBM3E领域仍落后领先厂商约3至4年。