据媒体报道，三星电子近日表示，今年将重点强化其在高带宽存储器（HBM）芯片市场的竞争力，以回应股东对其在人工智能（AI）领域表现疲软的批评。三星芯片业务负责人全永铉透露，公司计划在第二季度推出增强型12层HBM3E，并于下半年量产尖端的HBM4芯片。
全永铉承认，三星在HBM市场起步较晚，目前落后于竞争对手SK海力士，但他强调，三星将在下一代HBM4和定制芯片领域迎头赶上。据悉，HBM4内存预计将应用于英伟达即将推出的Rubin GPU架构中。SK海力士正积极争取成为英伟达的主要HBM4供应商，并已向客户交付了全球首批12层HBM4样品。
三星正努力获得英伟达的认证，为此已对HBM3E芯片设计进行调整。英伟达CEO黄仁勋此前在拉斯维加斯CES大会上表示，三星需要重新设计芯片，但他对三星的能力表示认可，称其“工作非常高效且专注”。
全永铉还预测，随着AI和移动需求的增长，未来几个季度内存市场将逐步复苏，这将有助于提升三星下半年的盈利表现。HBM芯片在高性能计算任务中扮演着重要角色，为内存制造商提供了参与AI开发和训练的机会，其高技术门槛也使其具备较高的市场利润。
