据韩媒ET News报道，三星电子正计划通过引入飞秒雷射技术，提升高带宽存储器（HBM）的生产良率。这项技术或将应用于第五代高带宽存储器（HBM3E）或第六代高带宽存储器（HBM4）的制造中。
消息显示，三星半导体暨装置解决方案（Device Solutions；DS）部门已将基于飞秒雷射的晶圆切割设备引入韩国天安厂。尽管目前设备处于初期导入阶段，但未来目标产品可能是HBM4。飞秒雷射技术以1,000万亿分之一秒为单位产生雷射脉冲，其切割精度远高于传统机械式或奈秒雷射，能够显著减少对晶圆电路和布线的影响，同时提升生产效率。
HBM的制造需要将刻有电路的DRAM晶圆堆叠后再切割。三星此次在切割制程中首次引入飞秒雷射设备，正是为了应对市场竞争压力，全力恢复其技术竞争力。业内人士透露，三星正从DRAM设计到HBM制造全流程推动技术创新，飞秒雷射技术成为其突破良率瓶颈的重要尝试。
此外，三星计划大量采购飞秒雷射设备，初期订单由韩国雷射加工业者EO Technics承接，并逐步交货。预计到2025年底前，三星将引进数十台相关设备。未来，该技术还有望扩展至最新DRAM和系统半导体的制造中，进一步扩大其应用范围。
