据韩国媒体Hankooki报道，存储芯片巨头SK海力士的第六代10nm等级1c制程DRAM良率在2024年下半年从60%显著提升至80%，目前已如期进入量产阶段。

2024年8月，SK海力士宣布成功研发全球首款基于第六代10nm等级1c制程的DDR5 DRAM。该技术作为1b制程的延伸，不仅提升了生产效率，还在运行速度和性能方面实现了显著改进。此外，SK海力士计划将这一制程应用于LPDDR6和GDDR7等产品中。

行业数据显示，当DRAM制程良率达到80%~90%时即可实现量产，因此SK海力士的1c制程已达到量产标准。然而，在需求旺盛的高带宽存储器（HBM）领域，该制程仍需更多时间才能实现应用。据市场消息透露，SK海力士计划在今年量产HBM4产品，但将主要依赖更为成熟的第五代10nm 1b制程技术。