美光（Micron）27日宣布将于2026年在日本广岛市工厂正式量产最先进的1γ DRAM。

这一突破性的产品融合了EUV曝光技术和美光的HKMG CMOS技术，展现了美光在DRAM领域的创新实力。

为了确保这一计划的顺利实施，美光已经在台湾的DRAM工厂采用EUV曝光机提升1γ DRAM的品质，而广岛工厂将成为第二个引入该技术的生产基地，预计2025年6月前完成设备引进。

与1β DDR5 DRAM相比，1γ DRAM在性能上有了显著提升，传输速度提高15%，电力消耗降低20%以上，同时存储容量也增加了30%以上。这些优势将为用户带来更加出色的使用体验。

美光与日本政府的紧密合作也为这一计划的成功提供了有力保障。在政府的补贴支持下，美光将投资约34亿美元用于广岛工厂的设备升级和研发工作。

此外，美光还在神奈川县桥本技术中心加强HBM的研发能力，以进一步推动技术创新。