长江存储率先掌握堆叠400层以上的“混合键合”（HB）技术，并持续升级，积极布局专利。据传，三星已与其签署HB技术授权协议，计划于2025年内推出新一代3D NAND。

此举引发韩国业界担忧，三星和SK海力士在NAND Flash市场的主导地位可能受到威胁。

长江存储的HB技术名为“Xtacking”，早在4年前就已用于量产。随着NAND技术演进，堆叠层数增加，韩国业者决定采用W2W HB技术。

长江存储已在此领域取得显著进展，成功商用化堆叠270层以上的3D TLC NAND，并量产出货第五代、堆叠294层的3D NAND。

美国出口管制对长江存储引进新设备构成限制，但其在蚀刻、原子层沉积（ALD）及晶圆翘曲等关键技术难题上取得突破，技术进展令人惊讶。

面对中国业者技术快速发展，韩国业者在首次导入HB技术时需克服诸多挑战。三星计划最快于2025年底前量产堆叠约430层的3D NAND，但涉及制程转换及新设备投资，成本或高于长江存储。