中国在存储器领域发展迅速，尤其在HBM（高带宽存储器）方面取得显著成果。据韩媒报道，2024年中国学术机构在HBM领域发表的论文数量居全球首位，超过美国和韩国。

韩国虽占据全球HBM市场约90%，但在基础研究方面已被中国超越。中国在存储器产业的快速发展得益于政府的大量补贴。

自2014年以来，中国政府已投入三期半导体补助基金，总额超过6800亿元人民币，用于建立半导体制造基础设施、培育先进制程及设计，并支持HBM和AI半导体研发。

目前，中国已有企业量产HBM2，并计划提高HBM自给率。在此背景下，三星电子面临较大压力，其HBM3E产品尚未通过NVIDIA验证，高端市场落后SK海力士和美光。

若中国业者加速HBM发展并以低价竞争，将对三星HBM事业的收益性造成冲击。