英国领先的石墨烯电子公司Paragraf近期获得了来自Innovate UK的419,419英镑资助，致力于开发一款基于石墨烯和新型铁电材料的半导体存储器原型。这项资金将支持该公司开发创新的半导体存储器技术，目标是通过硅平台结合石墨烯和铁电材料，突破现有存储技术的能效瓶颈。

此次合作项目由剑桥大学的材料科学与冶金学系领导，Judith Driscoll教授将带领团队致力于改进石墨烯与铁电材料结合的沉积工艺。这一进展预示着石墨烯-铁电场效应晶体管（G-FeFET）有望实现比当前存储技术更低的能耗，推动数据中心和消费电子产品在能效上的重大突破。

Paragraf公司仍然是全球唯一一家能够提供大规模、高性能石墨烯电子产品制造的企业，持续满足传感器和诊断领域的市场需求。随着这项技术的进一步成熟，预计将在降低全球电子设备能耗、加速人工智能技术发展方面发挥关键作用。