据韩国媒体MoneyToday报道，三星电子原计划在2024年底完成第六代10nm级1c DRAM制程的开发并量产，但由于良率问题，开发时间已延后6个月至2025年6月。

这也意味着原定于下半年量产的第六代高频宽内存（HBM4）也将相应推迟。

报道指出，三星在2024年底获得了首个测试芯片，但未能达到预期良率，因此将开发完成时间推迟。在接下来的6个月里，三星计划将良率提升至约70%。

一旦核心产品1c DRAM制程量产时间延后至2025年底，其衍生产品HBM的量产也可能在2025年之后进行。

相较于竞争对手SK海力士选择稳定方法，三星展现了快速提高性能和能效的决心，但尽快量产成为达成目标的关键。

因此，三星计划上半年全力投入六代10nm级1c DRAM制程，以提高良率。同时，韩国半导体产业人士透露，三星正在修改1c DRAM部分设计。