传三星正在调整1c DRAM芯片尺寸,以提升良率
来源:万德丰 发布时间:2025-02-12
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三星电子为提高新一代DRAM良率,据传正在调整1c DRAM芯片尺寸,并重新设计以提高生产稳定性。1c DRAM是三星计划于2025年下半量产的新一代DRAM,预计搭载于HBM4。
据业界消息,三星在HBM市场落后于竞争对手,希望通过引入最先进的1c DRAM在HBM4市场取得突破。然而,1c DRAM从研发初期就面临良率问题,可能与芯片尺寸有关。最初,三星为了市场竞争而缩小了芯片尺寸,但导致生产稳定性下降。
因此,三星决定在2024年末修改部分1c DRAM设计,放宽周边电路标准,以期在2025年中旬前迅速提高良率。此举是为了确保在竞争激烈的市场中占据有利地位,避免成为最晚完成开发的存储器业者。
此外,三星还在投入1b DRAM部分产品的重新设计,以提高服务器用32Gb 1b DRAM的良率至70~80%左右。这些举措表明,三星正在致力于稳定高附加价值存储器的生产,并努力在全球存储器市场中保持竞争力。
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