SK海力士预计2025年2月量产1c DDR5,领先竞争对手
来源:林慧宇 发布时间:2025-01-21 分享至微信

传SK海力士已完成1c DDR5量产认证,预计2025年2月正式量产。若此消息属实,SK海力士将成为全球率先量产1c DRAM的厂商,领先竞争对手三星电子和美光。


量产认证是指在连续多批生产结果均满足品质和良率后,才能进入正式量产状态。SK海力士未来技术院长车宣龙表示,公司已完成量产认证,并计划将1c DDR5从开发部门移交制造部门,预计正式量产时间为2月初。


1c DDR5主要用于高效能数据中心,与前代相比,速度快约11%,电力效率提升9%以上。


SK海力士采用扩展1b DRAM平台策略来加速1c DRAM开发,并计划将1c技术应用于第七代高带宽存储器(HBM4E),期望进一步提升产品效能。


此前,韩国业界传出消息称三星有意加速1c DRAM的全面量产至2025年上半年,但考虑到从开发到量产至少需要6个月,即使竞争对手现已成功开发,也可能落后SK海力士数月左右。


SK海力士自10纳米级第四代DRAM开始与三星并驾齐驱,后于第五代开始超车。

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