东芯股份近日在机构调研中透露，公司对未来市场发展持乐观态度，尤其是在车规级产品和利基型DRAM领域。随着三星退出小容量SLC NAND市场，东芯看到了新的发展机会，预计美光、海力士和铠侠等海外厂商也将逐步撤离这一市场，为中国大陆及台湾厂商提供了更大的竞争空间。
在车规级领域，东芯的SLC NAND和NOR Flash产品已顺利通过AEC-Q100认证，并实现了实际销售。东芯表示，未来将继续加强车规级产品的研发，尤其是在严苛的应用环境中，确保产品在高可靠性和高标准下满足客户需求，进一步扩展产品线的多样性。
同时，东芯也在加速扩展其DRAM产品组合。目前，东芯的DRAM产品涵盖标准DDR3和低功耗LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4X等多个品类。随着技术的不断提升，东芯将通过自研产品增强市场竞争力，进一步丰富产品阵容，以满足日益增长的市场需求。
在中大容量NOR Flash方面，东芯聚焦于48nm、55nm制程的64Mb-1Gb产品研发，力求在消费电子、网络通信、PC、服务器等多个领域实现精准定位，并提供高性价比的产品。未来，东芯将继续优化产品性能、功耗和成本之间的平衡，推动行业技术的进步。
