美国存储器大厂美光获得美国政府资助，计划在美国本土扩产车用和军工规利基型DRAM。

美光拿到芯片法案提供的61.65亿美元补助，还可能与政府签署备忘录，获得额外2.75亿美元资金，用于扩张弗吉尼亚州工厂。

美光计划投资21.7亿美元扩建弗吉尼亚州的半导体工厂，升级生产用于工业、汽车、航空航太和国防应用的利基型DRAM。此举将巩固美国的技术领导地位并促进创新。

在全球经济复苏缓慢且存储器产业面临挑战的背景下，美光计划制造更多的高带宽存储器（HBM），并尽可能靠其获利。

虽然三大存储器原厂向DDR5等倾斜，但美光利用其强大的工程人才和先进制程产能展开竞争。

在三星、SK海力士退出利基型DRAM市场后，部分市场由中国企业承接。这样的趋势刺激美国政府加码补贴美光回流美国本土扩产利基型DRAM产能，尤其是弗吉尼亚州工厂。