日本助力本土半导体争2纳米,童子贤:台积电领跑至少五年
来源:陈超月 发布时间:18 小时前 分享至微信
日本Rapidus计划2027年量产2纳米芯片,日本政府拟出资2000亿日圆支持。此举被视为对台积电的挑战,但和硕董事长童子贤认为,从资本和技术角度看,台积电在未来五年内难以被超越。
童子贤指出,半导体产业从建厂到量产需2年半至3年时间,且需经历前期规划和技术突破阶段。以2纳米建厂为例,投资金额高达200亿至250亿美元。
台积电在未来3至4年内将在本土和海外建设10座晶圆厂,总投资额是7000亿元的10倍。相比之下,日本政府的出资只能算是“试水温”。
童子贤还回顾了日本半导体产业的发展历程,认为随着日本经济泡沫化和人口老龄化,人工成本高昂等因素导致日本半导体产业衰退。而台积电在先进制程方面积累的优势,使得其在全球范围内一枝独秀。
他认为,即便一座2纳米芯片厂成功建设,要再复制第二、三座也需要时间。因此,从时间和资本角度来看,台积电在未来5年甚至7年内都将保持领先地位,难以被超越。
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