英特尔前任CEO Pat Gelsinger因急于转型未果而离职，其雄心壮志与美国芯片法案的期望相去甚远。相比之下，美光CEO Sanjay Mehrotra则稳健布局，深谙存储器市场荣枯之道，避免将公司财务置于“美国制造”的大旗下。
Gelsinger离职后，超微、博通等业界巨头相继澄清无意介入英特尔的困境。而美光在中国业务受阻的同时，并未急于响应拜登的存储器回流设厂号召。
直至芯片法案通过后，Mehrotra才强调美光在美国未来20年的投资计划，并明确表示这并不代表放弃亚洲布局。
在生成式AI热潮下，美光作为高带宽存储器（HBM）的后来者，拥有日本、中国台湾DRAM晶圆厂产能。虽然现阶段HBM产能排名第三，但得益于拜登政府与纽约等州政府的补助激励，美光扩产底气十足。
根据芯片法案与商务部资助，美光将获得高达64亿美元的直接补贴，用于在美国总部爱达荷州、东部纽约州扩建/新建晶圆厂，并在弗吉尼亚州升级扩产利基型DRAM产能。
Mehrotra强调，美国投资不等于放弃全球其他地方，这一切旨在增产。
