香港科技大学（港科大）宣布，其工学院成功研发出全球首创的深紫外Micro LED显示阵列晶圆，这一技术突破能够与无掩模紫外光光刻技术相结合，提升光输出功率密度的准确性，并以低成本、高效率的方式推动半导体晶片生产技术的发展。

该研究项目由港科大先进显示与光电子技术国家重点实验室创始主任郭海成教授领导，并与南方科技大学和中国科学院苏州纳米所合作完成。光刻机是制造半导体的关键设备，传统光刻技术存在器件尺寸大、解析度低、能源消耗高等问题。研究团队通过制造无掩模光刻原型机平台，成功制作了首个深紫外Micro LED无掩模曝光的显示阵列晶圆，提高了紫外光萃取效率和热分布效能，改善了晶体外延的应力释放。

郭教授指出，团队实现的Micro LED显示阵列晶圆在提高光源功率及效能、图案显示解析度、提升屏幕性能及快速曝光能力等方面取得了关键性技术突破。这项技术将紫外光源和掩模版上的图案融为一体，为光阻剂提供足够的辐照剂量进行光学曝光，从而推进半导体生产技术。

低成本、高精度的无掩模光刻技术已成为半导体行业的新兴研发热点。这种技术能够灵活调整曝光图案，提供多样化的定制选项，并节省制造光刻掩模版的成本。对于自主开发半导体设备而言，提高光阻剂敏感度的短波长Micro LED技术显得尤为关键。

研究团队实现了器件尺寸更小、驱动电压更低、外量子效率更高、光功率密度更高、阵列尺寸更大规模、显示解析度更高的性能提升，各项指标均显示本研究的成果领先全球。论文《High-Power AlGaN Deep-Ultraviolet Micro-Light-Emitting Diode Displays for Maskless Photolithography》已刊登于顶尖期刊《自然光子》。

下一阶段，团队计划继续提升AlGaN深紫外Micro LED的性能，并开发2k至8k高解析度的深紫外Micro LED显示屏幕。