台积电近日宣布，将继续扩大在高雄的投资，规划在P3厂房东侧土地启动扩建计划，延续先进制程，发挥产能群聚综效。预计P4、P5厂房将于2025年动工，这标志着台积电在高雄的3座晶圆厂建设计划进一步推进。其中，P1、P2厂房将生产2纳米制程芯片，P3厂房预计2026年竣工，将生产2纳米或更先进制程芯片。

面对全球半导体产业的快速变动和国际竞争压力，台积电迫切需要扩充先进制程产能。台积电副总经理庄子寿在环境影响说明书公开会议上表示，高雄5座厂预计会有8,000名员工。依据扩建计划，P4、P5厂将于2027年竣工并申领使照。

台积电今年将新建7座厂，以满足高效能运算（HPC）的强劲需求，3纳米产能预计将增加3倍。从2020年至2024年，先进制程产能复合成长率将约25%。台积电晶圆18B厂资深厂长黄远国在台湾技术论坛上说明了公司在制造方面的进展，包括产能扩充及新厂建置规划。

黄远国指出，台积电将同步扩增特殊制程产能，特殊制程占成熟制程比重自2020年的61%提升至2024年的67%。车用产品出货量年复合成长率达50%。台积电今年新建的7座厂中，台湾有3座晶圆厂及2座先进封装厂，海外有2座晶圆厂。新竹晶圆20厂与高雄晶圆22厂是2纳米制程生产基地，预计明年开始陆续生产。

美国亚利桑那州厂预计2025年量产4纳米制程，日本熊本厂预计第4季量产，德国厂将于第4季动工，2027年量产。中国南京厂也将持续扩充28纳米产能。黄远国表示，因应人工智能（AI）需求，2022年至2026年系统整合单芯片（SoIC）产能年复合成长率将超过100%，CoWoS先进封装产能年复合成长率超过60%。