据韩媒报道，三星电子近期出现大规模人员调动，约2000名工程师被调至平泽园区，以加速提升DRAM的先进制程良率，扭转在高带宽存储器（HBM）领域的劣势。三星对此传闻表示否认，但韩国电视台SBS独家披露了这一消息。

此次调动由三星DS部门负责人全永铉特别指示，旨在让技术人员更贴近生产基地，有效管理制程，提升产品良率与品质。调动的人员多为半导体开发后与产品量产前致力于提升良率的工程师。

三星平泽园区正在加快订购制造设备，P4厂可能将大规模量产第六代10纳米级DRAM（1c DRAM）。业界推测，确保1c DRAM良率将成为三星扭转HBM劣势的关键一步。

与此同时，三星的HBM竞争对手SK海力士和美光决定在HBM4中采用第五代10纳米级DRAM（1b DRAM）。此次调动被视为三星重振半导体事业的重要一环。