近日，台积电在新竹宝山工厂正式开启了2nm芯片的试产工作。据悉，该工厂的良率已经达到了60%，这一数据不仅超越了台积电内部的预期，也预示着2nm芯片的大规模量产指日可待。此外，台积电还计划在明年上半年于高雄工厂开展2nm试产，进一步扩大了其产能布局。

对于代工厂而言，批量生产芯片需要达到一定的良率标准，通常这一标准在70%甚至更高。然而，按照台积电的进度，在2nm大规模量产之前，该公司完全有时间和能力将良率提升至量产标准。这意味着，台积电在2nm芯片的生产上已经取得了实质性的进展。

然而，伴随着2nm时代的到来，其价格也随之飙升。据报道，台积电2nm晶圆的价格已经超过了3万美元，相比之下，目前3nm晶圆的价格仅在1.85万至2万美元之间。

在2nm制程节点上，台积电将首度使用Gate-all-around FETs晶体管技术，这一技术的引入将进一步提升芯片的性能和功耗表现。此外，N2工艺还能搭配NanoFlex技术，为芯片设计人员提供了更加灵活的标准元件。与现有的N3E工艺相比，N2工艺在相同功率下性能将提升10%到15%，或者在相同频率下功耗将下降25%到30%。同时，晶体管密度也将提升15%。