台积电2nm制程顺利推进,已风险试产约5000片
来源:万德丰 发布时间:6 天前 分享至微信
台积电在推进其美国亚利桑那州晶圆厂4nm量产的同时,位于中国台湾的2nm量产计划也在稳步前进。
据台媒报道,台积电已在竹科宝山厂进行了小量风险试产,约5000片2nm制程芯片,且进展顺利,预计2025年如期量产,高雄厂也将跟进。
台积电此前透露,2nm制程技术进展顺利,设备效能和良率均优于预期。2nm制程功耗可降低24%-35%,性能提高15%,晶体管密度提升1.15倍,得益于新型全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管和N2 NanoFlex设计技术等。
此外,台积电还将推出2nm家族的延伸技术N2P,预计2026年下半年量产,支持智能手机和高速运算(HPC)应用。
目前,客户对2nm的需求高于3nm,预计产能也将更高。台积电2nm生产基地已规划于竹科宝山与高雄厂区,且高雄厂设备进机时间已提前半年以上。
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