台积电在新竹宝山工厂的2nm工艺试产已取得60%的良率，超出内部预期，并计划明年上半年在高雄工厂继续试产。尽管代工厂通常需要70%或更高的良率才能批量生产，但台积电有望在2nm工艺大规模量产前达到此标准。

随着2nm工艺的到来，其晶圆价格预计将超过3万美元，相较于3nm工艺的1.85万至2万美元大幅上涨。台积电的报价受多种因素影响，包括客户和订单量，部分客户可能享有优惠，因此3万美元只是一个粗略估计。

自2004年台积电发布90nm芯片以来，晶圆报价从近2000美元增长至2016年10nm制程的6000美元。进入7nm、5nm制程后，报价破万，5nm高达16000美元，尚未计入2023年6%的涨幅。随着高通、联发科旗舰芯片转向3nm工艺，相关终端产品已掀起涨价潮。业内人士预计，先进制程报价居高不下，芯片厂商成本高企，将成本压力转嫁给下游客户或终端消费者。

台积电在2nm制程节点将首次使用Gate-all-around FETs晶体管，并搭配NanoFlex技术，为芯片设计人员提供灵活的标准元件。预计N2工艺在相同功率下性能将提升10%到15%，或在相同频率下功耗下降25%到30%，晶体管密度提升15%。