随着美国对高带宽存储器（HBM）实施出口管制，SK海力士为了巩固美国市场，决定在2025年下半年量产的HBM4中使用台积电3纳米制程。

据韩媒报道，定制化产品的基础裸晶将采用3纳米制程，通用产品则为12纳米，预计效能将比5纳米提高20~30%。

SK海力士与台积电合作研发HBM4，基础裸晶作为连接GPU和HBM的核心部分，其制造过程至关重要。

SK海力士选择台积电合作，是因为其具备最佳的晶圆代工技术。此举也是为了应对NVIDIA等客户对高性能HBM的需求。

业界分析认为，SK海力士采用3纳米制程是为了巩固与NVIDIA的关系，同时吸引更多美国客户。而三星电子也可能调整策略，采用自家及台积电3纳米代工，以与SK海力士相抗衡。两大韩厂在HBM4的研发竞争将更加激烈。