随着美国对中半导体出口管制的新一轮实施，三星电子和SK海力士在西安、无锡的工厂因已被认定为已核实终端用户（VEU），得以继续引进含美国技术的半导体设备，推动新一代制程转换。

三星计划在西安厂升级NAND制程，SK海力士则计划在无锡厂引进新一代DRAM生产。

然而，本次制裁名单中未包括中国DRAM龙头企业长鑫存储，让韩国业界感到担忧。摩根士丹利预测长鑫存储有望在2026年成为全球DRAM出货量第三，且已开始量产HBM2。

韩厂面临HBM出口管制，而长鑫却能引进设备，让韩国业界感到矛盾。

分析认为，长鑫被排除在制裁之外，可能是因美国设备企业对中销售依赖度高，若禁止出口将受重创。同时，长鑫以强力的内需市场和政府支持为后盾，技术追赶只是时间问题。

另外，美国未将长鑫列入黑名单，也可能为了牵制韩国企业发展，若三星及SK海力士因长鑫大幅扩产导致收益下滑，恐影响投资步调。