全球三大内存制造商三星、SK海力士和美光这三家公司正全力以赴地开发高带宽内存（HBM）技术，特别是在硅通孔（TSV）工艺集成和3D HBM DRAM芯片堆叠技术方面展开激烈竞争。
TechInsights的最新报告指出，HBM作为一种具有高带宽和宽通道的3D堆叠DRAM器件，非常适合高性能计算（HPC）、高性能图形处理单元（GPU）、人工智能和数据中心应用，能够提供高能效、高性能、大容量和低延迟的内存解决方案。
据预测，即将推出的HBM4（预计于2025-2026年面世）和HBM4E（预计于2027-2028年面世）器件将分别拥有48GB甚至64GB的容量，以及16Hi和1.6TB/s或更高的带宽。
HBM技术的带宽已从HBM Gen1的约1 Gbps增长到HBM2E的3.6 Gbps，再到HBM3的6.4 Gbps和HBM3E的9.6 Gbps。SK海力士在HBM DRAM芯片堆叠中，对Gen1和Gen2 HBM器件采用了TC-NCF方法，而对Gen3和Gen4则采用了MR-MUF工艺，并进行了进一步优化，为Gen5开发了先进的MR-MUF以改善散热。据TechInsights预测，即将推出的Gen6 HBM4可能会结合使用这种技术和新的混合键合技术。
针对热衰减或散热改善的问题，HBM器件采用了TC-NCF与MR-MUF的解决方案。TC-NCF方法通过在每个芯片堆叠后使用薄膜型材料，而MR-MUF方法则通过一次加热和连接所有垂直堆叠的芯片来实现互联。
