近日，美国政府将140家中国半导体企业列入实体清单，但长鑫存储作为中国存储器代表厂商，却再次未被列入。

自2022年10月美国对中国半导体产业实施设备禁令以来，长鑫存储便成为美方制裁的焦点之一。然而，长鑫存储通过向美方改口，宣称其制程技术并非17纳米，而是19纳米的第三代改良，成功获得了美国的许可。

此次，长鑫存储再次幸免于美禁令，业界推测可能与其强大的游说团队有关。

长鑫存储能逃过制裁，背后有三大原因。首先，长鑫存储在传统DRAM制造量能上大幅提升，并积极瞄准HBM核心技术，但其出货客户均遵守规范，主要供应至非敏感性客户。

其次，存储器制程与逻辑晶圆制造不同，长鑫存储现有的落后制程亦能发展DDR5或HBM，但良率及效应与国际DRAM大厂相比仍有差距。最后，美国对于中国半导体设备的禁令存在缓和空间，意在拖住中国半导体产业发展，而非完全阻断。

尽管长鑫存储再次幸免于美禁令，但中国DRAM制程被限制于18纳米以下，难以跨越先进制程的门槛。此次美国祭出的第三波管制清单，虽未全面扼杀中国HBM自制之路，但技术门槛仍是难以跨越的高墙。