英飞凌近日宣布推出业界首款用于太空和极端环境应用的512 Mbit抗辐射加固设计QSPI NOR Flash。这款NOR Flash采用快速四串行外设接口（133 MHz），具有高密度、辐射和单次事件效应（SEE）性能，是一款完全通过QML认证的非易失性存储器，可与太空级FPGA和微处理器配合使用。

该产品由美国空军研究实验室太空飞行器局（AFRL）资助，并与Microelectronics Research Development Corporation（Micro-RDC）共同开发。它基于英飞凌的SONOS（硅衬底-隧穿氧化层-电荷存储层氮化硅-阻挡氧化层-多晶硅栅极）电荷栅阱技术，运行速度较低密度替代品提高多达30%。

AFRL太空电子技术项目经理Richard Marquez强调了对高可靠性、高密度存储器的需求，并赞扬了与英飞凌、Micro-RDC合作开发的技术解决方案。Micro-RDC总裁Joseph Cuchiaro表示，英飞凌的抗辐射加固设计NOR Flash补充了Micro-RDC的极端应用环境解决方案系列。

英飞凌航空航天与国防业务副总裁Helmut Puchner强调了公司对提供高度可靠的高性能存储器以满足下一代太空需求的承诺。英飞凌的SONOS技术结合了密度、速度和先进的辐射性能，具有高达10000 P/E的耐用性和长达10年的数据保存期。该产品的133 MHz QSPI接口为太空级FPGA和处理器提供了高数据传输速率，并提供陶瓷QFP和塑料TQFP两种封装。

这款新型英飞凌512 Mbit QML认证NOR Flash已经上市，典型用例包括太空级FPGA的配置映像存储和太空级多核处理器的独立启动代码存储。