11月18日，广州粤升半导体设备有限公司（以下简称“广州粤升”）正式宣布，其自主研发的碳化硅（SiC）外延设备已于今年9月实现大批量出货。

广州粤升在公告中表示，这批设备在第一代外延炉的基础上进行了全面优化，从而具备了生产高质量、高稳定性的外延片的能力。

据了解，广州粤升自2021年成立以来，一直专注于碳化硅外延设备和碳化硅晶体生长设备的研发与生产。公司通过不断创新和技术积累，逐步奠定了在碳化硅设备领域的领先地位。

回顾广州粤升的发展历程，公司在2022年6月与广州海创产业技术研究院合作，共同成立了SiC外延设备研发中心。同年11月，公司成功研发出首台SiC外延设备。随后，在2023年2月，广州粤升又开始了液相法SiC单晶设备的研发工作。

经过一年的努力，公司在当年9月实现了SiC外延设备的装车交付，并在11月完成了液相法SiC单晶设备的批量交付。最终，在2024年9月，广州粤升成功实现了SiC外延设备的大批量出货。