近日，连科半导体的8吋碳化硅电阻式长晶炉（型号：PVT-RS-40）在客户现场成功完成了批量验收。

与此同时，连科半导体还成功制备出了直径超过210毫米、厚度达到30毫米的8吋导电型碳化硅晶体。这些晶体表面光滑无缺陷，充分展示了连科半导体在碳化硅晶体生长技术方面的深厚积累。

连科半导体的8吋碳化硅电阻式长晶炉采用了石墨电阻发热原理，通过热辐射传导石墨坩埚进行加热。该设备能够调整石墨加热器的结构，实现分区功率控制和温场的精确控制，从而更适合生长大尺寸的碳化硅晶体。

今年10月底，连科半导体的液相法碳化硅长晶炉也已在客户现场完成验收。液相法技术在细分领域的优势逐渐显现，尤其适用于生长P型碳化硅衬底。该技术不仅能够实现生长低位错密度、高品质的碳化硅晶片，还能显著提升碳化硅晶片的生产成品率并降低成本。