安世半导体携手KOSTAL,共同研发碳化硅 MOSFET器件
来源:ictimes 发布时间:5 天前 分享至微信

近日,安世半导体与全球领先的汽车供应商KOSTAL(科世达)达成战略合作协议,双方将联合开发符合电动汽车应用标准的宽禁带(WBG)功率电子器件。此举标志着安世半导体在汽车行业中的影响力进一步扩大,尤其是在满足日益严苛的电动汽车技术需求方面。


根据协议,安世半导体将负责开发、生产并提供KOSTAL设计与验证的宽禁带器件,首期重点将放在电动汽车车载充电器(OBC)中的碳化硅(SiC)MOSFET器件上,尤其是在TSC QDPAK封装技术的应用。


安世半导体,作为闻泰科技的子公司,一直致力于宽禁带半导体器件的创新,产品涵盖SiC二极管、MOSFET、GaN E-mode和D-mode器件等,展现了其在半导体领域的技术深度。值得一提的是,安世半导体还计划投入2亿美元用于扩大碳化硅和氮化镓等宽禁带材料的研发和生产设施,进一步提升其在全球市场的竞争力。


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