近日，铠侠公司宣布其“创新型存储制造技术开发”提案已被日本新能源・产业技术综合开发机构（NEDO）的“加强后5G信息和通信系统基础设施研究开发项目/先进半导体制造技术开发”计划采纳。这一消息标志着铠侠在新型存储器研发领域取得了重要进展。

据悉，铠侠计划开发一种新型CXL接口存储器，该产品将集低功耗、高位密度以及高读取速度于一体。与现有的DRAM内存相比，这种新型存储器在功耗和位密度方面均更具优势；而与NAND闪存相比，其读取速度则更为迅速。

这一新型存储器的开发有望大幅提升存储器利用效率。通过降低功耗和提高位密度，铠侠的新型存储器将更有效地满足当前和未来数据中心的存储需求。同时，其高读取速度也将为提升整体系统性能做出贡献。

铠侠的这一举措不仅彰显了其在存储器技术领域的领先地位，还展示了其对未来技术发展的前瞻性和创新精神。随着新型存储器的成功开发，铠侠有望在全球存储器市场上占据更为重要的地位，为全球用户提供更加高效、节能的存储解决方案。