台积电的支持下，联发科正向2nm芯片技术迈进。新思科技近日透露，联发科采用其AI驱动的电子设计自动化（EDA）流程，用于2nm制程上的先进芯片设计。这一合作显示了联发科在3nm 5G旗舰芯片领域领先高通后，再次在2nm技术上寻求领先地位的决心。
新思科技与台积电的紧密合作，利用台积电的先进制程与3DFabric技术，为AI与多晶粒设计提供EDA与IP解决方案，加速创新。联发科通过与新思科技的扩大合作，满足在台积电2nm制程上开发高性能模拟设计硅芯片的需求。
联发科副总经理吴庆杉强调，与新思科技的合作有助于加速设计迁移与优化，提升系统单芯片导入各垂直市场的流程。台积电生态系统与联盟管理主管Dan Kochpatcharin表示，双方合作的AI驱动EDA套件及通过硅认证IP，为客户提升生产力，为先进AI芯片设计带来显著成果。
台积电持续推进2025年2nm量产的目标，预计2nm技术在头两年的产品设计定案数量将高于3nm和5nm的同期表现。联发科积极采用台积电2nm技术，外界看好其在AI相关领域的发展潜力。
联发科首席执行官蔡力行指出，在AI趋势引领下，边缘运算和云端运算迅速展开，企业积极采用定制化芯片以降低整体拥有成本，联发科通过灵活的ASIC商业模式满足客户需求，展现出在AI领域的积极布局和创新能力。
