据韩国媒体报道，三星电子正逐步缩减其一度雄心勃勃的晶圆代工业务，转而将资源集中在市场急需的AI内存芯片发展上。事实上，在第三季财报电话会议上，三星就已暗示将与其他芯片制造商合作生产高带宽存储器芯片（HBM），并承认其动态随机存取存储器（DRAM）芯片的良率不尽如人意。

三星电子执行副总裁金在俊在电话会议中明确表示，为了满足HBM客户的需求，三星将灵活选择晶圆代工合作伙伴来制造基础芯片。这一规划的背后，是三星在半导体代工上良率一直令人担忧的现状。晶圆代工业务的竞争力很大程度上取决于良率，即每片晶圆可生产出多少晶粒，这直接关系到制造成本和速度。因此，三星决定寻求晶圆代工合作伙伴的合作，以提高良率和降低成本。

然而，这一决策对于三星来说无疑是一个沉重的打击。过去，三星曾强调其在AI芯片领域的“一站式”服务，提供内存芯片、晶圆代工和先进封装等完整服务。但现在为了赢得市场最大HBM客户——英伟达的订单，三星正在放弃这一核心策略。韩国新英证券半导体分析师朴相旭指出，三星未来可能与台积电合作，这将是一项史无前例的举措。这意味着三星的晶圆代工业务因无法改善良率问题而失去HBM主要客户的青睐。

报道指出，尽管三星表示正在向多个客户供应HBM3E芯片，但尚未确定获得英伟达的认证通过。而英伟达已经与SK海力士和台积电建立了紧密的合作关系，共同开发第六代HBM（HBM4）的基础DRAM晶粒。这使得三星在HBM市场上面临巨大的威胁。因此，与台积电合作可能是三星加入英伟达生态系统的唯一途径。

晶圆代工业务状况不佳也被指为三星第三季业绩不佳的主要原因之一。该部门估计将亏损1.5万亿韩元（约10.9亿美元），加上负责芯片设计的LSI部门，整个半导体业务获利受到拖累。尽管三星承诺在美国德州泰勒市斥资230亿美元建设先进芯片制造设施，但由于良率不佳，未能吸引主要客户，导致运营时间从最初计划的2024年延迟到2026年。