美国投资8.25亿美元建设EUV光刻设施
来源:ictimes 发布时间:1 天前 分享至微信
美国商务部宣布,将投资8.25亿美元在纽约州奥尔巴尼纳米技术综合大楼建立NSTC EUV加速器,这是确保北美尖端半导体研究、开发和制造的重要一步。
半导体芯片是现代计算的核心,对经济和国家安全至关重要。《芯片与科学法案》旨在通过教育和研究投资,保持美国在开发和制造尖端芯片技术方面的领先地位。
NSTC的成立是为了重建美国先进半导体供应链,其中EUV光刻技术是不可或缺的一部分。EUV技术使用极短波长的光在晶圆上打印尺寸高达几纳米的器件,对制造更小、更快、更高效的微芯片至关重要。奥尔巴尼纳米技术综合大楼将容纳NSTC EUV加速器,IBM作为主要合作伙伴,将在该中心进行研发。
奥尔巴尼纳米技术中心正在建造新的R&D制造设施,以容纳High NA EUV机器,这将是北美第一台公私合营的High NA EUV机器。该中心拥有约150,000平方英尺的洁净室空间,NY CREATES计划再建造50,000平方英尺的空间,部分用于容纳高数值孔径EUV机器。
Natcast首席执行官Deirdre Hanford表示,CHIPS for America EUV加速器彰显了美国开发和推进下一代半导体技术的承诺。EUV加速器将于2025年投入初始运营,将使Natcast、NY CREATES和NSTC成员能够协同开展研发活动,加速创新半导体技术的商业化,加强美国的技术领导地位。
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