为加速光半导体在矽基板的加工，日本东丽公司改良了Micro LED巨量转移技术，推出了矽光子巨量转移技术及专用材料。该技术旨在满足日本IOWN通讯规格平台对矽光子半导体制造的需求。

东丽与旗下TRENG合作开发此技术，源自Micro LED制造过程中的巨量转移技术。针对磷化铟光半导体的特性，东丽开发了专用材料以提高转印良率。同时，利用半导体雷射进行精确定位和加热处理，确保封装位置的正确性。

据东丽调查，现有矽光子半导体封装技术每分钟仅能封装4个芯片，而东丽的巨量转移技术理论上每分钟可封装6000个芯片，速度提升1500倍。该技术适用于量产设备，对于推广矽光子半导体至消费市场至关重要。

东丽计划下一步与半导体代工厂合作，进行制程设计与验证，目标在2025年确立实际产品的巨量转移制程，2028年推广，并期望在2030年为东丽集团带来100亿日圆营收。

此外，东丽还将探讨该技术是否可应用于其他半导体制程。