英特尔近日展示了其MCR新型DIMM存储器技术，该技术可大幅提高存储器带宽，成为提升AI与HPC等工作负载效能的关键因素。与DDR5 RDIMM相比，MRDIMM能大幅提升存储器模块带宽，实现30~40%的效能提升。
采用MRDIMM与最新Xeon 6处理器的组合，HPC与AI上的运行速度可达原先的2.3倍及2倍。
SK海力士和瑞萨电子已基于英特尔MCR技术开发出自家MCR DIMM产品，利用数据缓冲器同时执行2个存储器列数据传输，使带宽提高80%。
美光也表示，基于MRDIMM模块的存储器平均带宽提升了39%。英特尔MCR技术只需在存储器模块中导入数据缓冲器，无需对软件进行更改，且与现有DDR5 RDIMM平台完全兼容。
搭配MRDIMM的处理器能以高于传统DDR5 RDIMM的速率执行突发操作，有望在双插槽系统中实现大于1.5 TB/秒的存储器带宽能力。更高的存储器带宽意味着处理器能让更多核心保持运作，满足处理器核心数的快速成长，并确保核心有效利用。
随着英特尔即将推出针对深度学习和HPC等工作负载的AVX10融合矢量ISA，MRDIMMS在提供数据以保持矢量ISA繁忙上将发挥重要作用，进一步支持各种AI、HPC和数据中心工作负载的效能表现。
