英特尔在2024年IEEE国际电子元件会议（IEDM）上展示了多项技术突破。其晶圆代工部门推出了新材料，使用减材钌提升了晶体管容量25%。

同时，采用先进封装的异质整合方案，实现了吞吐量100倍的提升，完成超快速芯片对芯片组装。

英特尔还展示了矽RibbonFET CMOS和闸极氧化物模块的工作成果，以提高元件效能。为了进一步推动环绕式闸极（GAA）微缩，英特尔正在研究二维过渡金属二硫族化物（TMD）半导体，未来可能取代矽。

此外，英特尔晶圆代工在300毫米氮化镓（GaN）技术上取得进展，制造了高性能微缩增强型氮化镓金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（GaN MOSHEMT）。

该设计有助于减少信号损耗，提高信号线性度，并在射频和功率电子产品应用中实现更高效能。

英特尔晶圆代工表示，这些突破有助于解决散热挑战，改善能耗，并推动半导体产业进入AI时代。