Rapidus加速半导体建设,计划建1.4纳米晶圆厂
来源:ictimes 发布时间:5 天前 分享至微信
日本经产省大臣武藤容治近日视察Rapidus位于北海道千岁市的工厂建设情况。Rapidus社长小池淳义表示,首座工厂预计2027年量产2纳米芯片,目前建设进度已达80%。
若计划顺利,Rapidus将启动第二座工厂建设,以量产1.4纳米芯片。
Rapidus正在积极筹措量产所需资金,而日本政府也在准备相关法案,计划为Rapidus提供债务担保及出资等支持,预计将在2025年国会正式会期内提出。
此前,日本政府已向Rapidus提供总额9200亿日圆(约60亿美元)的补助,助其于2025年4月启动试产线。
为实现先进芯片的稳定量产,武藤容治强调需扩大供应品质稳定的零碳电源,包括核电、风力发电和地热发电等。Rapidus正加速推进半导体建设,以满足市场需求。
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