应用材料公司推出采用新材料“钌”的新设备，以支持晶圆代工业者实现2纳米量产。该材料可稳定2纳米以下制程的良率，提高效能。台积电和三星等公司已从3纳米制程开始采用相关技术。

应材的铜阻障层晶种整合性材料解决方案加入了能降低最小电容率的绝缘体“黑钻石”，并首次使用“钌”和“钴”的组合，成功将布线厚度缩小约33%，降低布线电阻高达25%。

应材半导体产品集团社长表示，该解决方案将使半导体业界铜布线微缩至埃米阶段，满足人工智能时代对高效能、低耗电的需求。目前，该解决方案已开始出货代工领先业者的3纳米制程产线，台积电和三星都计划于2025年量产2纳米制程。

此外，三星晶圆代工事业部也发表了与Fine Semitech合作研发的纳米碳管光罩护膜，可透射高达94%以上的极紫外光，在High-NA EUV时代不可或缺，或将成为三星追赶台积电的关键技术之一。