随着3D NAND技术的不断进步，SSD存储器的容量将持续突破。据预测，到2029年，SSD容量有望增加至当前的4倍以上。

这一增长主要得益于NAND主动层数量的增加以及每个记忆单元储存位元数的提升。目前，2TB QLC NAND存储器已问世并商用，而4TB 3D NAND存储器技术预计将于2027年推出，使SSD容量翻倍。

此后，随着产业转向8TB NAND存储器技术，SSD容量有望在2028年或2029年达到当前水平的4倍。市场上，不同制造商的主动层堆叠层数仍处于200~300层阶段，但三星和SK海力士等公司预测，到2027年，堆叠层数将突破1000层。

IEEE预测，堆叠层数将至少达到500层，同时，每个NAND记忆单元储存的位元数也将从TLC提升至QLC或更高级别的PLC。然而，为实现持续盈利的生产规模，设计与制造必须继续增加裸晶密度并降低生产成本。