近日，山西师范大学的许小红教授、王芳教授携手中国科学院化学研究所的薛丁江研究员，共同揭示了CrSbSe3纳米带合成的新篇章，为全球自旋电子材料的研究注入了强劲动力。

这项突破性成果实现了一种自下而上合成CrSbSe3纳米带的模板选择策略，并实现了一维(1D)铁磁CrSbSe3纳米带的可控制备，纳米带表现出典型的半导体行为和铁磁性，证实了1D CrSbSe3半导体的本征铁磁性。

在云计算技术日新月异的今天，数据存储的需求与挑战与日俱增，而磁性半导体以其独特的自旋电子特性，正逐步成为连接逻辑运算、信息处理与存储的桥梁。

面对低维磁性半导体材料在纳米级自旋电子器件构建中的巨大潜力，科研团队迎难而上，针对传统自上而下剥离方法的局限性，开创性地提出了一种自下而上的溶液法用于合成CrSbSe3纳米带。这一创新不仅克服了制备高质量一维磁性半导体的技术瓶颈，更为探索高密度集成、高性能自旋电子器件开辟了新道路。