近日，印度宣布将新建两座先进的碳化硅（SiC）半导体制造工厂，进一步推动其半导体产业的发展。这一消息是在美国总统乔·拜登与印度总理纳伦德拉·莫迪共同宣布的合作协议中披露的，标志着两国在关键技术领域的合作关系不断深化。

根据《印度商业线报》的报道，美国晶圆代工企业GlobalFoundries（GF）将在印度西孟加拉邦的加尔各答建立新的半导体制造厂，专注于红外、氮化镓和碳化硅等产品的生产。该工厂的建设将得到“印度半导体使命”的支持，旨在促进跨境制造和技术合作，创造高质量的就业机会。

与此同时，印度奥里萨邦也批准了一个新的SiC工厂项目，由Silectric Semiconductor Manufacturing Pvt. Ltd.建设。该项目总投资为635.55亿卢比（约53.7亿人民币），预计将创造2320个工作岗位。Silectric计划建立一条完整的碳化硅制造产线，涵盖从晶锭到晶圆、MOSFET及模块的制造与封装。

印度政府正在积极推动半导体产业的发展，吸引外资并鼓励技术创新。近期，德国英飞凌公司也与印度电子和IT部门进行了交流，探讨在印度发展功率半导体的可能性。

随着全球对半导体需求的不断增加，印度正努力成为全球半导体制造的重要基地。这两座新工厂的建设不仅将提升印度在SiC领域的制造能力，还将进一步加强与美国的技术合作，推动印度半导体产业的快速发展。