三星电子近期宣布，将推迟平泽P4工厂第二期晶圆代工产线的建设，未来将更加专注于NAND Flash和高频宽存储器（HBM）的生产。这一决定标志着三星对其扩展计划的重大调整，反映出公司在面对激烈市场竞争时的战略重塑。

根据最新消息，三星在平泽P4工厂的第一期NAND Flash生产线预计将在近期投入使用，而第三期产线也正在积极建设中，预计将在中秋节后完成设备安装。然而，原计划中的第二期晶圆代工产线将被改造为以HBM和NAND Flash生产为主的设施。这一变动源于市场需求的变化及竞争环境的压力。

此外，三星在美国德州泰勒工厂的设备投资也将被推迟一个季度。这一连串调整反映出三星在全球晶圆代工厂建设计划中面临的挑战。市场竞争日益激烈，尤其是在先进制程领域，台积电等行业领头羊的存在使得三星在制定战略时必须更加谨慎。

三星的调整计划显然是在应对快速变化的市场环境和技术要求。这种灵活应对的战略将有助于三星更好地利用其资源，集中力量在更具增长潜力的存储器市场上。尽管扩张计划有所延迟，但这种策略调整无疑将为三星在未来的市场竞争中提供更强的支持。