9月10日，据Soitec官网消息，由Soitec引领的欧洲研究和产业联盟宣布正式启动Move2THz项目，由27个成员组成，旨在保障欧洲InP半导体的稳健供应和制造生态系统发展。
该项目为期三年，已经获得了欧盟的资金支持，聚焦于开发基于磷化铟（InP）的高频半导体技术，旨在推动下一代通信、光子学及亚太赫兹雷达传感等领域的飞跃发展。
据悉，磷化铟（InP）器件能够在接近或超过1太赫兹（THz）的频率下运行，与硅基器件相比，提供了更快的速度和更高的能效。
Soitec秘书长艾曼纽埃尔·贝利（Emmanuelle Bely）表示：“这个项目标志着在整合越来越强大、能效更高的半导体技术方面的一个重要里程碑。我们正在一起为基于磷化铟的创新铺平道路，这将改变6G通信、光子学和人工智能等关键领域。”
Soitec不仅拥有强大的生产能力，还在技术创新上不断突破。其Smart Cut™技术能够精准切割碳化硅晶圆，显著提升良率与性能，为碳化硅材料的广泛应用提供了有力支撑。而Smart Stacking™技术则进一步拓展了半导体材料的堆叠可能性，为构建更复杂、更高效的半导体器件开辟了新途径。
