三星据传将在第六代10纳米级DRAM中采用乾式光阻剂技术，旨在拉大与对手的技术差距。该技术能形成更均匀薄膜，节省材料，预计应用于1c DRAM的某一电路层。三星还计划与科林研发合作，将此技术用于EUV光阻剂。
三星面临竞争压力，正加速新材料及3D DRAM创新。乾式光阻剂的应用可能对材料、设备生态带来变革，但材料开发仍具挑战。
竞争对手SK海力士已领先开发1c DRAM，并计划2025年推出市场，同时简化开发流程，瞄准新时代DRAM产品。美光则宣布在1c DRAM中首次引入EUV制程，紧追三星步伐。
