碳化硅(SiC )MOS器件特性与驱动电路设计-第三代半导体应用技术
来源:碳化硅MOS三代半 发布时间:一周前 分享至微信
SiC MOSFET器件特性与驱动电路设计
一:SiC 器件特性分析
二:SiC 器件驱动电路设计挑战
三:https://pan.baidu.com/s/1NERpK6QFw7bUJkZruAEPuQ提取码11by
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