Micro LED作为一种新型显示技术，以其在亮度、分辨率、对比度等方面的显著优势被认为是下一代显示技术的有力候选。然而，Micro LED显示屏的制造过程中，如何实现高良率的芯片生产和无损加工，一直是限制其商业化的主要难题。

华南理工大学李宗涛和李家声领导的研究团队在《Journal of Physics D: Applied Physics》上发表了综述文章，系统总结了制造高良率Micro LED显示屏中的技术挑战和前沿技术。文章指出，Micro LED芯片的制造需要极高的品质，接近零缺陷的水平，这在当前的制造工艺中存在诸多挑战。

研究团队探讨了提升外延晶圆品质、减少缺陷、避免刻蚀引起的侧壁缺陷等技术难题，并提出了多种巨量转移技术，如精准拾取转移技术、自对准滚轮转印技术、自组装转移技术、激光辅助转移技术等，以应对Micro LED显示器制造中的挑战。这些技术旨在提高芯片从衬底剥离和连接到显示基板的效率和良率。

文章还强调了检测和修复技术的重要性，指出随着LED尺寸的减小，传统的检测和修复方法面临困难，需要新的技术来满足Micro LED显示屏的高良率要求。研究团队提出了采用AOI检测技术来识别具有外观缺陷和亮度异常的Micro LED芯片，并探讨了芯片修复技术的发展。

总体而言，华南理工大学团队的研究为Micro LED显示屏的高良率制造提供了重要的技术方向和解决方案，有望推动Micro LED技术的商业化进程。